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Samsung está trabajando en una memoria RAM de 128 GB

Samsung está trabajando en una memoria RAM de 128 GB
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Hace un par de días la compañía surcoreana anunció que está trabajando para producir en masa unos módulos de memoria RAM de 128 GB. Para poder lograr esto, Samsung utilizó la tecnología Through Silicon Vía (TSV) que conecta la memoria RAM de forma vertical.

Según la firma, estos dispositivos son fabricados para servidores y empresas, por lo que no se trata de una tecnología que llegará a los PC.

"Estamos orgullosos de que la producción en masa de nuestro DRAM TSV de 128GB de bajo consumo y alta velocidad permitirá que nuestros clientes y socios en las TI ofrezcan nuevas soluciones con mejoras dramáticas en eficiencia y escalabilidad por su inversión", indicó Joo Sun Choi, vicepresidente de ventas y marketing de memorias en Samsung Electronics.

De acuerdo a la compañía surcoreana, la memoria RAM de 128 GB está compuesta por 144 chips DDR4, que cuentan con 36 paquetes de 4GB DRAM y cada uno tiene 20 nanómetros con la tecnología TSV. Este módulo ofrecerá a los dispositivos una velocidad de transferencia de 2,400Mbps. Samsung espera crear en el futuro memorias RAM capaces de transferir a velocidades de 2,667Mbps y 3,200Mbps.

Imagen | PROKārlis Dambrāns

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